元件与模组 主攻高效、环保与封装技术，功率器件持续走俏 » 上接38页 MOSFET芯片的前端。这类封装的 间距可能非常小(目前是0.4mm)。 Moreno特别强调说：“把多芯片 功率器件集成在单个封装中，除创 外，还需要适当的模拟技术。”由 于尺寸的限制，系统不得不使用更 高的全功率开关频率，这样一来， 就必须采用节能技术，否则效率可 当然，封装工艺并非唯一决胜 功率器件的绝招，IR就独辟蹊径掀 起了GaN功率器件的革命。Persson 指出硅衬底GaN技术充满前途，IR 在该领域展开了庞大的研发计划。 器件、工艺和应用三方面拥有专业 能力，才能够把符合客户功率要求 的产品推向市场。飞兆半导体公 司产品市场经理Tomas Moreno认 为，功率管理产品的新功能包括多 芯片模块、提供更佳热性能的先进 封装，以及将这些因素与先进硅技 术的结合。例如飞兆的低压PowerTrench MOSFET就是采用先进的每 平方英寸10亿个单元的工艺技术开 发的。只要对这种技术进行微调， 获得适当的Qg、Rdson和品质因数 (FOM)，就可为台式和笔记本电脑 中的DC-DC转换器提供出色的性 能。而把该技术扩展到中端电压范 围，可为100V功率MOSFET提供 出众性能。 功率器件 的创新几乎全 部围绕着封装 大做文章。从分 立式封装到功率 模块产品，从单 芯片到多芯片系 FET作为电源系统的 统级封装(SIP)， 关键器件，对效率的 多种封装形式 胡凤平：IGBT和MOS-C M Chitron0909-H.pdf 2009.8.18 3:58:59 能降低。 新的MOSFET/IGBT和封装技术 PM 提高起着重要作用。 Y CM 涵盖了从低功率到大功率各种应 用。可以说，封装工艺对于功率器 件而言，在一定程度上决定了功率 器件的性能表现。胡凤平指出，封 要，而且对于产品的性能、价格也 有很大的影响。例如TO220封装 的MOSFET在开关频率非常高(例 如300KHz)的情况下，就明显不如 SSO8封装的MOSFET有优势，因 为前者由于封装因素而产生不少的 寄生参数。 MY CY CMY 装工艺不仅对于功率器件至关重 K 针对不同应用，功率模块的 封装形式不一。飞兆拥有多种功率 封装技术，即使最常见的分立式单 芯片功率封装也能通过采用两个散 热器实现多向散热改善性能，以更 低的导通电阻实现更出色的电气 性能。 该公司另一项重要开发成果 为功率晶圆级芯片尺寸封装(wafer level chip scale package, WL-CSP)， 它允许所有漏、源和栅极都分布在 40 国际电子商情 | 2009年9月 | www.esmchina.com 年月